Учебное пособие. — 2-е издание, переработанное и дополненное. — Москва: Радио и связь, 1992. — 320 с.
Последовательно рассмотрены вопросы технологии кремниевых полупроводниковых, пленочных и гибридных интегральных микросхем различной степени интеграции, методы проектирования их элементной базы. Описаны типовые технологические процессы производства. Изложены принципы конструирования этих микросхем. Указаны конструктивно-технологические особенности больших и сверхбольших интегральных микросхем, а также микросхем на арсениде галлия. Особое внимание уделено задачам и методам машинного проектирования микросхем.
Для студентов радиотехнических и радиофизических специальностей вузов.
Предисловие.
Структура элементов и технологические процессы производства кремниевых интегральных схем.
Обработка кремниевых подложек.
Диффузия примесей в кремний.
Эпитаксиальное наращивание слоев кремния.
Получение и обработка тонких пленок.
Литография.
Технологические процессы изготовления кремниевых интегральных микросхем.
Технологические процессы изготовления гибридных интегральных микросхем.
Предмет и исходные предпосылки конструирования интегральных схем.
Электрофизические параметры структуры интегральных микросхем.
Проектирование биполярных транзисторов и диодов интегральных полупроводниковых микросхем.
Проектирование пассивных элементов биполярных интегральных полупроводниковых микросхем.
Проектирование элементов МДП-микросхем.
Конструирование полупроводниковых интегральных микросхем.
Конструирование гибридных интегральных микросхем.
Конструирование больших интегральных микросхем.
Интегральных микросхемы на арсениде галлия.
Приложение.
Список литературы.