Воронков Э.Н., Овечкин Ю.А. Основы проектирования усилительных и импульсных схем на транзисторах

2-е издание, переработанное и дополненное. — М.: Машиностроение, 1973. — 312 с.: ил.В книге изложены принципы проектирования основных типов транзисторных усилителей, импульсных схем и стабилизаторов напряжения.
Второе издание переработано и дополнено сведениями по проектированию резонансных усилителей. Подробно рассмотрены вопросы эксплуатационных характеристик полупроводниковых приборов и их учета при проектировании схем. Приведены общие сведения о конструировании радиоэлектронной аппаратуры различного назначения на полупроводниковых элементах. Изложены основы построения полупроводниковых интегральных схем, тонкопленочных, гибридных и совмещенных микросхем, рассказано о технологии изготовления интегральных схем, их сборке и герметизации.
Книга рассчитана на учащихся техникумов радиотехнических специальностей. Вместе с тем она будет полезна техникам-радистам и электромеханикам, а также широкому кругу радиолюбителей.ПредисловиеПолупроводниковые приборы
Полупроводники и их физические свойства
Собственный полупроводник.
Электронный полупроводник.
Дырочный полупроводник.
Диффузионный ток в полупроводниках.
Полупроводниковые диоды
Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода.
Инжекция неосновных носителей. Диффузионная емкость.
Барьерная емкость р-n-перехода.
Частотные свойства полупроводникового диода.
Импульсные свойства полупроводникового диода.
Транзисторы
Физические процессы в транзисторе и его статические характеристики.
Эквивалентные схемы и параметры транзисторов.
Основные параметры предельных режимов работы транзистора.
Влияние температуры на транзистор. Тепловые параметры.
Частотные свойства транзистора.
Импульсные свойства транзистора.Транзисторные усилители
Усилители с емкостной связью
Три схемы включения транзистора.
Статический режим усилительного каскада.
Стабильность рабочей точки усилительного каскада.
Расчет основных параметров усилительного каскада с емкостной связью.
Частотная характеристика усилителя с емкостной связью.
Усилители с трансформаторной связью
Расчет основных параметров усилительного каскада с трансформаторной связью.
Частотная характеристика усилителя с трансформаторной связью.
Усилители постоянного тока
Особенности усилителей постоянного тока.
Однотактные усилители постоянного тока.
Двухтактные (балансные) усилители постоянного тока.
Стабилизаторы напряжения.
Мощные усилительные каскады
Особенности выходных каскадов.
Однотактные каскады класса А.
Двухтактные каскады класса В.
Резонансные усилители
Особенности резонансных усилителей.
Основные характеристики колебательного контура.
Расчет каскадов резонансного усилителя.Импульсные схемы на транзисторах и диодах
Транзисторные ключи
Режим ключа.
Быстродействие транзисторного ключа.
Сокращение времени включения транзисторного ключа увеличением степени насыщения.
Применение запирающего смещения в базе.
Применение форсирующей емкости для повышения быстродействия.
Ненасыщенные транзисторные ключи.
Расчет транзисторного ключа.
Статический триггер
Описание работы триггера.
Ненасыщенный триггер.
Способы запуска триггера.
Запуск триггера по цепи коллектора.
Запуск триггера по цепи базы.
Триггер с автоматическим смещением.
Расчет триггера.
Мультивибраторы
Описание работы мультивибратора.
Быстродействующие мультивибраторы.
Ждущий мультивибратор (одновибратор).
Одновибратор с эмиттерной связью.
Расчет мультивибратора.
Блокинг-генераторы
Описание работы блокинг-генератора.
Ждущий блокинг-генератор.
Расчет блокинг-генератора.
Диодные логические элементы
Диодная логическая схема «И».
Расчет логической схемы «И».
Диодная логическая схема «ИЛИ»
Расчет логической схемы «ИЛИ».
Ограничители
Последовательные диодные ограничители.
Параллельные диодные ограничители.
Быстродействие диодных ограничителей.
Транзисторные ограничители.
Расчет диодного ограничителя.
Расчет транзисторного ограничителя.
Импульсные схемы на ферритах и полупроводниковых приборах
Параметры ферритов.
Феррит-диодные регистры сдвига.
Феррит-транзисторная ячейка.
Расчет феррит-транзисторной ячейки.
Расчет феррит-диодной схемы.Конструирование и эксплуатация аппаратуры на полупроводниковых приборах
Эксплуатационные свойства полупроводниковых приборов
Выбор типа полупроводникового прибора.
Выбор режима работы полупроводникового прибора.
Учет разброса, нестабильности и дрейфа параметров полупроводниковых приборов при проектировании радиоэлектронных схем.
Отвод тепла от полупроводниковых приборов.
Методы защиты полупроводниковых приборов от электрических перегрузок.
Механические и климатические условия работы транзисторов и диодов.
Хранение и транспортировка полупроводниковых приборов.
Конструирование аппаратуры на полупроводниковых микроэлементах. Микроэлектроника
Модули.
Микромодули.
Тонкопленочная электроника.
Полупроводниковые интегральные схемы.Список литературы