Сугано Т., Икома Т., Такэиси Ё. Введение в микроэлектронику

Пер. с яп. В.В. Комарова, М.Е. Панюкова. Под ред. В.Г. Ржанова. — Москва: Мир, 1988. — 320 с.Книга является переводом первого тома 11-томной серии по микроэлектронике, написанной крупными японскими специалистами. В эту серию входят книги, дающие исчерпывающий обзор современного состояния методов конструирования, технологии производства и применений интегральных схем. Излагаются методы проектирования и изготовления интегральных схем, а также их базовые структуры. Большое внимание уделено новой технологии изготовления схем, обеспечивающей получение практически бездефектных приборов.
Для специалистов в области микроэлектроники и вычислительной техники, а также студентов соответствующих специальностей.Предисловие редактора перевода.
Предисловие.Интегральные схемы — основа микроэлектроники.
Развитие микроэлектроники.
Состояние технологии изготовления БИС.
Микроэлектроника будущего.Электрические свойства полупроводников.
Структура кристаллической решетки и энергетических зон.
Механизмы протекания электрического тока.
Генерация и рекомбинация носителей.
Полупроводники в сильных электрических полях.
Основные уравнения для анализа работы полупроводниковых приборов.Полупроводниковые приборы.
Контакт «металл — полупроводник» и p-n-переход.
Биполярные транзисторы.
Полевые МОП-транзисторы.
Полевые транзисторы с затвором Шоттки.Технология изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Основные технологические этапы изготовления ИС.
Монокристаллы кремния.
Дефекты монокристаллов и геттерирование примесей.
Эпитаксия.
Окисел кремния и свойства окисных пленок.
Изготовление тонких пленок методом химического осаждения из газовой фазы.
Легирование примесями: диффузия и ионная имплантация.
Металлическая электрическая разводка.
Литография.
Травление рисунка.
Моделирование технологических процессов.Основные структуры полупроводниковых ИС.
Структуры биполярных ИС.
Смешанные монолитные ИС на биполярных и МОП-структурах.
Структуры МОП ИС.
Структуры МОП СБИС.
Применение МОП СБИС.ИС на полупроводниках группы A^IIIB^V и на элементах Джозефсона.
Полупроводники группы A^IIIB^V и кремний как материалы для ИС.
Структура энергетических зон полупроводников группы A^IIIB^V.
Приборы на полупроводниках группы A^IIIB^V.
ИС на полупроводниках группы A^IIIB^V.
Физика перехода Джозефсона.
Схемы на переходах Джозефсона.
ИС на элементах Джозефсона.Предметный указатель.