Григорьев Ф.И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление в технологии микроэлектроники

Учебное пособие. — Москва: Московский государственный институт электроники и математики, 2003. — 48 с.Изложены физико-химические основы плазмохимической и ионно-химической обработки материалов. Рассмотрены механизм и кинетика формирования химически активной плазмы. Кратко рассмотрены некоторые проблемы создания элементов топологии интегральных схем с помощью плазмохимического травления.
Пособие предназначено для студентов специальности 200100 по дисциплине Физические основы радиационной технологии.Введение.Формирование химически активной плазмы.
Рабочие вещества, используемые в процессах плазмохимического и ионно-химического травления.
Механизм образования химически активных частиц в газоразрядной плазме.
Кинетика формирования химически активной плазмы.
Способы повышения реактивности плазмы.Механизм плазмохимического и ионно-химического травления материалов.
Транспорт реактивных частиц плазмы к поверхности обрабатываемого материала при ПХТ.
Адсорбция частиц газа на поверхности твердого тела.
Механизм химического взаимодействия реактивных частиц плазмы с материалами.
Влияние ионной бомбардировки поверхности на процесс ПХТ.
Механизм взаимодействия химически активных ионов с материалами при ИХТ.
Влияние параметров процесса на механизм и скорость травления в плазме.Проблемы создания элементов топологии интегральных схем с помощью плазмохимического травления.
Селективность процессов ПХТ.
Анизотропность процессов ПХТ.
Проблемы глубокого анизотропного травления кремния.
Контроль процессов ПХТ.
Дефекты в приповерхностных слоях кремния после реактивно-ионного травления.Контрольные вопросы.
Литература.