Гаврилов С.А., Белов А.Н. Низкотемпературные процессы в технологии наноэлектроники и наносистем

Учебно-методическое пособие для самостоятельной работы студентов. - М.: МИЭТ, 2011, 56 с.Рассмотрены особенности формирования пористого анодного оксида алюминия, а также особенности формирования полупроводниковых соединений катодным осаждением в матрицу пористого анодного оксида алюминия. Приведен пример расчета и построения диаграммы Пурбэ.
Разработано для основной образовательной программы подготовки магистров по направлению 210100 Электроника и наноэлектроника, соответствующей тематическому направлению деятельности ННС Наноэлектроника.
Предназначено для студентов, обучающихся по направлениям 210100 Электроника и наноэлектроника и 150100 Материаловедение и технология материалов.